Os transistores 3D Tri-Gate de 22 nm fornecem uma melhoria de 37% no desempenho em baixa voltagem se comparado aos transistores planos de 32 nm da Intel. Esse ganho significa que eles são ideais para o uso em dispositivos móveis pequenos, que operam usando menos energia. Segundo a Intel, os novos transistores consomem menos da metade da energia para oferecer o mesmo desempenho dos transistores 2D planos em chips planos de 32 nm.
Os transistores 3D Tri-Gate representam a reinvenção do transistor. A porta bidimensional tradicionalmente “plana” é substituída por um silício tridimensional em forma de quilha, incrivelmente fino que sobe verticalmente desde o substrato do silício. O controle da corrente é feito por meio da inclusão de uma porta em cada um dos três lados - uma em cada lado e uma em cima - em vez de apenas uma em cima, como acontece com os transistores planos 2D.
Esse controle adicional possibilita que o fluxo da corrente no transistor seja o máximo possível quando o transistor estiver em estado ligado (para desempenho), e perto de zero quando ele estiver em estado desligado (para minimizar o consumo), além de possibilitar uma troca muito rápida entre os dois estados (para desempenho).
http://g1.globo.com/tecnologia/noticia/2011/05/plano-desde-1959-chip-da-intel-seravv
Alana Caroline Gomes Beserra.
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